欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究
ISSN号:1000-3290
期刊名称:物理学报
时间:2014
页码:248503-
相关项目:超深亚微米SOI器件的重离子单粒子效应新机理研究
作者:
唐杜|熊涔|李培|王信|
同期刊论文项目
超深亚微米SOI器件的重离子单粒子效应新机理研究
期刊论文 16
会议论文 1
同项目期刊论文
Si SOI微剂量探测器电荷收集特性数值模拟
Evolution of atoms with special coordination number in beta-SiC with temperature
Hot carrier effect on thebipolar transistors’ response to electromagnetic interference
Preliminary studies on the emulation of 14 MeV neutron irradiationin SiCwith heavy ions
Re-evaluationof neutron displacement cross sections for silicon carbide by a Monte Carloapproach
Analysis of primary damage in silicon carbide
Soft error reliability in advanced CMOS techn
Modeling of long-term defect evolution in heavy-ion irradiated 3C-SiC: Mechanism for thermal anneal
超低泄漏电流二极管单粒子位移损伤电流计算
Kineticsof single particle displacement damage in silicon
The role of point defectsin the swelling and elastic modulus of irradiated cubic silicon carbide
Hot carrier effect on asingle SiGe HBT's EMI response
硅单粒子位移损伤多尺度模拟研究
不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究
Three-dimensional simulation of fabrication process-dependent effects on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊信息
《物理学报》
北大核心期刊(2011版)
主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
主编:欧阳钟灿
地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
邮编:100190
邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
电话:010-82649026
国际标准刊号:ISSN:1000-3290
国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
邮发代号:2-425
获奖情况:
1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
被引量:49876