欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
The formation of thick buried
时间:0
相关项目:低剂量注氧隔离技术氧化埋层形成机理研究
作者:
Jing Chen*, Xi Wang, Yemin Don
同期刊论文项目
低剂量注氧隔离技术氧化埋层形成机理研究
期刊论文 17
会议论文 8
获奖 2
同项目期刊论文
Effect of ion-induced defects
Research on nitrogen implantat
Radiation hardness improvement
Patterned buried oxide layers
Optimized implant dose and ene
Comparative study of SOI/Si hy
A study on the total-dose resp
注氮工艺对SIMON材料抗辐射性能
具有复合埋层的新型SIMON材料的
注氮剂量对SIMON材料性能影响的
氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结
Synthesis and thermal conducti
Effect of hydrogen implantatio
Research on the effect of nitr
注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响
Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation