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嵌入式存储器的多故障自修复方法
  • 期刊名称:小型微型计算机系统.2010,31(1)
  • 时间:0
  • 分类:TP302.8[自动化与计算机技术—计算机系统结构;自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
  • 作者机构:[1]南京航空航天大学自动化学院,江苏南京210016
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(60871009;90505013)资助;航空科学基金项目(2006ZD52044;04152068)资助.
  • 相关项目:芯片级自修复数字系统体系结构与自愈机制研究
中文摘要:

使用冗余行覆盖占故障总数70%的单故障,导致冗余资源的浪费.为提高冗余资源的利用率,提出一种高效的修复方案,即冗余行覆盖多故障,纠错码修复单故障.当采用码率大于1/2的纠错码修复单故障时,校验位的长度小于冗余行的长度,节约了面积开销.通过2^4×8比特静态随机存取存储器(SRAM)的自修复实验,验证了新方案的可行性.实验结果表明,与冗余行结构相比。新的修复方案可以减小面积开销,提高芯片的最大工作频率.

英文摘要:

The use of redundant rows for covering single cell faults, which possessed about 70% of the total faults, leaded to the waste of redundant resources. In order to improve utilization rate, an integrated ECC and redundancy repair scheme is proposed. In the proposed scheme, the redundancy repair and ECC techniques are used to correct multiple and single word faults. If the code rate ( i. e. , the ratio of the length of information bits to code length) is lager than 1/2, ECC uses less area overhead to repair single word faults than redundant rows. The feasibility of the proposed scheme is justified on a 2^4×8-b SRAM. Experimental results demonstrate that both area overhead and maximum frequency are improved by the new approach.

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