欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
位置：立项数据库 > 立项详情页
中文摘要：
本项目针对金属有机物化学气相沉积（MOCVD）的异质外延，研究GaN的横向生长行为与材料固有属性之间的关系，探寻其背后特有的动力学规律，确定横向生长所决定的GaN的微结构特性，以及此微结构所对应的材料光、电性质。本项目通过理论与实验相结合，对比a面、m面和c面GaN横向生长效应的差异，研究表面能在其中的作用；对比N极性面和Ga极性面GaN横向生长效应的差异，研究极性在其中的作用；通过斜切衬底上GaN的生长，研究横向生长中位错的弯曲和相互作用湮灭机制；通过研究GaN纳米线的横向生长效应，探讨不同的质量输运机制在晶体横向生长中的作用。本项目将横向生长效应从晶体生长条件的研究中独立出来，作为一条描述材料生长行为及其影响的基本机制，进行专门针对性的研究，为GaN生长和物性的研究提供了新思路，以期更好的控制并利用这一极性宽禁带半导体材料。
结论摘要：
英文主题词GaN；lateral growth；non-equilibration；dislocation；surface pits
成果综合统计
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
期刊论文
Investigation of the saturation characteristic and lifetime of the novel AlGaInP lightemitting diode
Theoretical and experimental analysis of the effects of the series resistance on luminous efficacy i
相关项目
高志远的项目