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InN的光学性质
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003)
作者： 孙苋[1], 王辉[1], 王莉莉[1], 刘文宝[1], 江德生[1], 杨辉[1]
关键词： INN, MOCVD, Hall效应, 吸收谱, PL谱
中文摘要：

对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在10K温度下进行PL测量,并对其线形进行分析,得到InN的带隙在0.7eV左右.综合Hall、吸收谱及PL谱的结果发现,吸收边以及PL谱的峰值能量都随载流子浓度的增加而蓝移.此外,我们还讨论了由吸收谱计算InN带隙的存在的不确定性.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754