中文摘要：

金刚石和立方氮化硼（c-BN）作为宽带隙半导体薄膜材料，在高温半导体器件和光电子技术领域有着广阔的应用前景。就目前技术来看，虽然制作金刚石膜的水平较高，但实践证明金刚石很难实现n型掺杂。这就使得金刚石在电子学领域的应用前景受到限制。若要实现宽带隙薄膜材料在高温半导体器件和光电子技术领域的应用，则寄希望于c-BN薄膜。目前，我们已经实现了c-BN薄膜的n型和p型掺杂，这为开展c-BN薄膜的肖特基接触和场效应管的研制工作打下了良好的基础。从目前已有的文献看，目前国内外尚未有人开展c-BN薄膜场效应管的研究工作，我们认为开展该研究工作是必要的，将为c-BN薄膜进入电子学应用领域开辟道路。本课题研究c-BN薄膜肖特基接触和肖特基势垒场效应管的制备及相关物理问题，将在国内外首次获得c-BN薄膜场效应管，研究它的伏安特性和场效应迁移率，并研究界面态对肖特基势垒高度和场效应管伏安特性的影响。