中文摘要：

应用射频溅射，在1?cm(2)的Si衬底上制备出高质量cBN膜，立方相含量100%，带隙6.0eV。达到国际先进水平。首次用溅射法研究了cBN薄膜的S掺杂（n型)技术，并研制出性能优良的n-cBN/p-Si异质结。用热丝法实现了金刚石薄膜的p型掺杂（掺B）。电阻率为10（-2）Ωcm。用B离子注入法实现了金刚石膜的p型掺杂，电阻率下降2个数量级。并得到性能优良的n-cBN/p-金刚石异质结，达到国际先进水平。用微波法首次制备出0.7?.9?0mm(3)的金刚石杆。又获得高质量场电子发射的金刚石膜，阈值电压低于1.06V/μm，这是当前国际上最好结果。发表论文18篇，培养博士4名。

结论摘要：

应用射频溅射法在1*2cm2的Si衬底上，制备出立方相含量100%的氮化硼薄膜，Eg=6.0ev。质量达到国际先进水平。首次对cBN薄膜进行了n型掺杂，并研制出性能优良的 n-cBN/p-Si异式帷Ｓ萌人糠ㄊ迪至私鸶帐∧さ膒型掺杂。用B离子注入法实现了金刚石薄膜的p型掺杂，电阻率下降约2个量级。并得到性能优良的 n-cBN/p-金刚石异质结，达到国际先进水平。用微波法首次制备出0.7*0.9*60mm3的金刚石杆。又获得高质量场电子发射的金刚石薄膜，阈档缪沟陀?.09v/ m,场发射电流密度>418mA/cm2.应用射频溅射法在1*2cm2的Si衬底上，制备出立方相含量100%的氮化硼薄膜，Eg=6.0ev。质