中文摘要：

本课题用射频等离子体增强化学气相沉积法（RF-PECVD）制备氢化非晶硅氧（a-SiOx:H）薄膜，研究其在晶体硅表面的生长和钝化机理。首先，结合色度计监测的等离子体发光光谱、傅立叶红外光谱评价的薄膜微结构因子和椭偏光谱仪监测的薄膜光学参数，分析和评价发射极和背钝化层缓冲层(几个纳米厚的本征a-SiOx:H薄膜)，获得薄膜微结构的有效评价机制。重点研究氧的逐渐融入对薄膜缺陷态和微结构的影响，以及对c-Si/i-a-SiOx:H界面能带匹配和界面缺陷态的影响，从而得出薄膜中的氧含量、界面能带匹配以及缺陷态之间的制约关系。然后，研究具有低吸收和高电导率的发射极p-a-SiOx:H薄膜和背钝化层n-a-SiOx:H薄膜对晶体硅表面的钝化作用，来提高光透过率和降低晶体硅表面的复合速率。本项目的研究，将为生长高质量a-SiOx:H薄膜钝化层及提高异质结晶体硅电池开路电压及转换效率提供理论基础。