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面向高密度三维集成的玻璃等离子体深刻蚀技术研究
  • 项目名称:面向高密度三维集成的玻璃等离子体深刻蚀技术研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:61204115
  • 申请代码:F040606
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:靖向萌
  • 依托单位:中国科学院微电子研究所
  • 批准年度:2012
中文摘要:

微电子封装正在向小型化、功能化的三维集成方向发展,玻璃具有电阻率高,热稳定性好,热膨胀系数(CTE)与硅接近,成本低等优点,是作为三维集成中转接板的理想材料,但是其高密度深孔工艺不成熟。本研究针对玻璃等离子刻蚀速度慢的问题,通过对玻璃深孔内气体分子的分解、离化、吸附、界面反应,以及挥发性反应产物的运动行为研究,优化反应气体组合和等离子体放电参数,分析提高玻璃反应离子刻蚀速率的机理,并通过提高等离子体密度,提高衬底温度,周期性侧壁钝化等方式,探索高深宽比、侧壁垂直、表面光滑的玻璃通孔等离子刻蚀解决方法,为设计和制备下一代玻璃转接板提供理论指导和实验依据。

结论摘要:

英文主题词Glass;Plasma;Interposer;3D integration;


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