微电子封装正在向小型化、功能化的三维集成方向发展,玻璃具有电阻率高,热稳定性好,热膨胀系数(CTE)与硅接近,成本低等优点,是作为三维集成中转接板的理想材料,但是其高密度深孔工艺不成熟。本研究针对玻璃等离子刻蚀速度慢的问题,通过对玻璃深孔内气体分子的分解、离化、吸附、界面反应,以及挥发性反应产物的运动行为研究,优化反应气体组合和等离子体放电参数,分析提高玻璃反应离子刻蚀速率的机理,并通过提高等离子体密度,提高衬底温度,周期性侧壁钝化等方式,探索高深宽比、侧壁垂直、表面光滑的玻璃通孔等离子刻蚀解决方法,为设计和制备下一代玻璃转接板提供理论指导和实验依据。
英文主题词Glass;Plasma;Interposer;3D integration;