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中文摘要：
高质量p型ZnO薄膜的制备是当前ZnO作为半导体光电子材料的发展瓶颈。单源化学气相沉积(SSCVD)技术是制备ZnO薄膜的一种简单而重要的化学方法。本项目采用SSCVD技术来制备高质量的非极性ZnO薄膜，这种薄膜能有效抑制其n型缺陷和自补偿作用，在不掺杂情况下呈现p型导电特性，且其发光强度远大于极性ZnO的发光强度。对这种非极性ZnO薄膜的生长机理进行研究，并探究非极性ZnO薄膜的稳定p型电导和高发射效率与其非极性取向之间的内在联系。在制备过程中对其进行p型掺杂控制，研究ZnO薄膜中杂质和缺陷对载流子输运特性的影响，获得高载流子浓度且稳定的p型ZnO薄膜。通过对膜层接触界面结构和特性的研究，制备ZnO同质p-n结，实现电注入带边激子发光。这有望在物理本质上实现对ZnO薄膜稳定有效的p型掺杂，为ZnO在真正意义上的实际应用奠定理论和实验基础。
结论摘要：
英文主题词SSCVD; nonpolar ZnO; p-type; optical property; electrical property
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