中文摘要：

用反应溅射法在1?cm(2)的Si衬底上，制备出立方相含量100%的氮化硼薄膜，应用光学方法测得Eg=6.0eV。cBN薄膜的质量达到国先进水平。用热丝增强CVD法，在1?cm(2)的Si衬底上，制备出立方相含量达75%的氮化硼薄膜。首次对cBN膜进行了n型掺杂。用溅射和加热S-蒸气法，在cBN膜生长过程中进行掺杂，使cBN膜电阻率下降2-3个量级。已获得质量优良的n-BN膜/p-Si异质结。若在cBN和hBN混相中掺杂，可使电阻率下降约10个量级。又研究了BN的p型碳掺杂，已获得初步结果，证实为p型。首次研究了MW-ECR-CVD 热丝辅助法的hBN的取向生长。发表论文20篇，培养博士4名，硕干4名。

结论摘要：

用反应溅射法在1*2cm2的Si衬底上，制备出立方相含量100%的氮化硼薄膜，应用光学方法测得Eg=6.0ev。cBN薄膜得质量达到国际先进水平。用热丝增强CVD法，在1*1cm2的Si衬底上，制备出立方相含量75%的氮化硼薄膜。首次对cBN薄膜进行了n型掺杂。用溅射和加热 S-蒸汽法在cBN薄膜生长过程中进行掺杂，使cBN薄膜电阻率下降2-3个量级。已获得质量优良得 n-BN膜/p-Si异质结。若在cBN和hBN混相中掺杂，可使电阻率下降约10个量级。研究了BN的p型碳掺杂，已获得初步结果，证实为p型。首次研究了MW-ECR-CVD+热丝辅助法的hBN的取向生ぁ用反应溅射法在1*2cm2的Si衬底上，制备出立方相含量100%的氮化硼薄膜，应用光学方法测