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GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究
  • ISSN号：1005-6122
  • 期刊名称：《微波学报》
  • 时间：0
  • 分类：TN3[电子电信—物理电子学]
  • 相关基金：国家自然科学基金(60876052); 中央高校基本科研业务基金(103.1.2E0220502051)
关键词： 氮化镓(GaN), 高电子迁移率晶体管(HEMT), 高频噪声, 低噪声放大器
中文摘要：

基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究进行了综述,并分析了GaN HEMT在低噪声应用领域目前存在的主要问题及其发展趋势。

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期刊信息
  • 《微波学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国电子学会
  • 主编：周志鹏
  • 地址：南京1313信箱110分箱
  • 邮编：210013
  • 邮箱：njmicrowave@126.com
  • 电话：025-51821076
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-6122
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1493/TN
  • 邮发代号:28-328
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:6066