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Source Access Impedance Model for AIGaN/ GaN HEMTs
  • ISSN号：0013-5194
  • 期刊名称：IEE Electronics Letters
  • 时间：0
  • 页码：1193-1194
  • 语言：英文
  • 相关项目：宽禁带半导体器件噪声机理与噪声模型研究
作者： 徐锐敏|
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宽禁带半导体器件噪声机理与噪声模型研究
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