欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Accurate Distributed and Semidistributed Models of Field Effect Transistors for Millimeter Wave Appl
ISSN号:1096-4290
期刊名称:International Journal of RF and Microwave Computer
时间:0
页码:272-278
语言:英文
相关项目:宽禁带半导体器件噪声机理与噪声模型研究
作者:
徐锐敏|
同期刊论文项目
宽禁带半导体器件噪声机理与噪声模型研究
期刊论文 11
会议论文 10
同项目期刊论文
基于石墨烯谐振沟道晶体管的高频纳米机电系统信号读取研究
Electrical Read out of Nano-electromechanical system signal by Using Graphene Resonant Channel
Source Access Impedance Model for AIGaN/ GaN HEMTs
ACCURATE I-V MODEL OF GAN HEMT POWER DEVICE FOR THE APPLICATION OF LOW ATMOSPHERIC PRESSURE
MODELING OF GaN HEMT BY USING AN IMPROVED K-NEAREST NEIGHBORS ALGORITHM
Accurate Modeling Of Minimum Noise Figure In AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
LARGE SIGNAL EQUIVALENT CIRCUIT MODEL FOR PACKAGE ALGaN/GaN HEMT
SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究
GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究
一种用三维场仿真软件模拟二极管的新方法