中文摘要：

针对宽禁带半导体异质的噪声机理与噪声模型的研究现状，本项目组在GaN HEMT 噪声机理与模型的基础上。研究了GaN HEMT器件的噪声源，不同栅宽和不同偏压下的GaN HEMTs噪声特性，GaN HEMTs器件结构对器件噪声特性的影响等。在三年的研究期内按照计划方案顺利进行，完成了AlGaN/GaN异质结构2DEG的模拟，提出了源极寄生阻抗模型，并分析了该模型对GaN HEMT高频噪声影响。初步建立了AlGaN/GaN HEMTs的噪声特性的SVR模型和等效电路模型。提出了一种基于InGaN的新型GaN HEMT器件结构，并进行了特性仿真。与55所合作，完成了GaN HEMT 的设计，加工，测试，并利用建立的等效电路模型设计了低噪声放大器模块，完成了对模型的验证。发表与本项目相关的学术论文24篇。