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考虑漏磁效应的平行平板式磁微执行器Pull—in模型
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学] TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]南京邮电大学电子科学与工程学院,南京210003
  • 相关基金:基金项目:国家自然科学基金资助项目(60806036);2010年度江苏省高校“青蓝工程”资助项目
中文摘要:

Pull—in参数是设计磁微执行器时需要考虑的一项重要参数。研究漏磁效应对Pull—in参数的影响时,通常采用有限元法求数值解,需要反复重新建模,工作量大,因而需要一个解析模型。对于平行平板式磁微执行器,给出了详细的漏磁阻模型。将漏磁阻的解析式带入到Pull-in方程组中便可得到一对考虑了漏磁影响的Pull—in参数。利用有限元法对器件的Pull—in特性进行了仿真。将考虑漏磁影响的理论值和不考虑漏磁影响的理论值分别与有限元分析结果做对比,结果表明,不考虑漏磁影响时,Pull-in参数的误差随着极板间距的增大而增大。利用漏磁阻模型求出的Pull—in参数具则有良好的精度,并且相对误差不随极板间距的增大而增大。

英文摘要:

The pull-in parameters were crucial to magnetic microactuators. In the past, the Pull-in parameters of parallel magnetic microactuator were obtained by using finite element method ( FEM ) when the flux leakage effect can not be ignored. However, it was complicated and time-consuming, since the model must be rebuilt. An analytical method was expected to simplify the design. A leakage reluctance model is derived. Using this leakage reluctance, the magnetic Pull-in parameters were obtained by solving Pull-in equations. The Pull-in phenomenon of magnetic microactuator was simulated by FEM analysis. The analytical results considering the flux leakage effect and ignoring flux leakage effect are respectively to be compared with FEM results. The simulation results show that the analytical results considering the flux leakage effect coincide with FEM results well for a wide range of gap spacing. But, with the increase of initial gap spacing, the tolerance becomes lager when flux leakage effect is ignored.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070