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180nm CMOS工艺下SEL敏感性关键影响因素研究
  • ISSN号：1001-2486
  • 期刊名称：国防科技大学学报
  • 时间：0
  • 页码：72-76
  • 相关项目：集成电路辐照效应与抗辐照技术研究
作者： 秦军瑞|陈书明|陈建军|
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期刊信息
  • 《国防科技大学学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:国防科技大学
  • 主办单位:国防科技大学
  • 主编：杨学军
  • 地址：湖南省长沙国防科技大学出版社
  • 邮编：410073
  • 邮箱：xuebao@nudt.edu.cn
  • 电话：0731-84572637
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-2486
  • 国内统一刊号：ISSN：43-1067/T
  • 邮发代号:42-98
  • 获奖情况:
  • 1997年获全国优秀科技期刊,1999年获全国学报及教育优秀期刊二等奖,2000年获全军首届期刊提名奖,中国期刊方阵军队双效科技期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:10196