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High Performance SLED Fabricated by Pulsed Anodic Oxidation
  • ISSN号：1005-0086
  • 期刊名称：《光电子．激光》
  • 时间：0
  • 分类：TN312.8[电子电信—物理电子学] TG174.4[金属学及工艺—金属表面处理;金属学及工艺—金属学]
  • 作者机构：[1]National Key Lab on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, Jilin, China
  • 相关基金：Sponsored by the National Nature Science Foundation of China（60474026, 60477010）.
作者： 高欣[1], 薄报学[1], 张晶[1], 李辉[1], 曲轶[1]
关键词： 脉冲阳极氧化, 高性能材料, 超辐射发光二极管, ALGAAS, 输出功率, 分子束外延, MBE技术, 多量子阱, semiconductor technology, pulsed anodic oxidation, nonuniform quantum well width, quantum well, ridge waveguide, SLED
中文摘要：

GAO Xin（1965-）, researcher, bbx@public. cc. jl. cn

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期刊信息
  • 《光电子．激光》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:天津市教育委员会
  • 主办单位:天津理工大学 中国光学学会
  • 主编：巴恩旭
  • 地址：天津市西青区宾水西道391号
  • 邮编：300384
  • 邮箱：baenxu@263.net baenxu@aliyun.com
  • 电话：022-60214470
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-0086
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1182/O4
  • 邮发代号:6-123
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:16551