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中文摘要：
本项目在研究目前已有的主振光放大半导体激光器的基础上提出一种以半环形腔基模半导体激光器为主振光源的新结构单片集成主振光放大高功率半导体激光器。本项目拟对提出的器件结构开展以下方面的研究工作器件特性数值模拟；以反应离子刻蚀为重点的器件制作工艺；以输出光束质量为重点的器件稳态特性测试分析；器件调制特性测试分析。本研究提出的新结构主振光放大半导体激光器具有制作工艺简单、结构新颖的特点，并有可能因此获得具有较高电光转换效率的高光束质量高功率半导体激光器。高光束质量的高功率半导体激光器被认为是空间（或大气）光通信的理想光源，能够满足未来空间光通信对激光器光束质量、重量、效率和可靠性等方面的苛刻要求。因此，该项具有十分重要的应用前景。
结论摘要：
本项目主要围绕具有高光束质量输出的大功率半导体激光器的设计新方法和制作技术开展了以下研究工作半环形腔基模半导体激光器为主振光源的新结构单片集成主振光放大高功率半导体激光器特性的数值模拟；高质量外延生长技术、光刻对准工艺、反应离子刻蚀工艺、欧姆接触工艺、腔面AR/HR镀膜技术、焊装等器件制作工艺研究；器件P-I特性、近远场光束质量等直流和脉冲特性测试分析。通过对设计器件的深入研究，为研制具有高光束质量的大功率半导体激光器提供了新的设计思想。通过对制备工艺过程的优化获得了近衍射极限光束质量输出的大功率半导体激光器，输出功率近3.0W。
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