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延伸波长InGaAs焦平面用低失调电压输入级电路研究
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:《半导体光电》
  • 时间:0
  • 分类:TN215[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室,上海200083, [2]中国科学院大学,北京100049
  • 相关基金:国家“973”计划项目(2012CB619200); 国家自然科学基金项目(61306064)
中文摘要:

截止波长为2.5μm的延伸波长InGaAs探测器在航天航空遥感等领域有着重要应用。由于晶格失配,相同温度下它的暗电流比截止波长为1.7μm的常规InGaAs探测器高2~3个数量级。从焦平面的耦合接口出发,研究了一种新型的Autozero输入级电路,通过大幅降低输入失调电压来减小耦合接口处延伸波长InGaAs器件的偏置电压和暗电流。在CTIA采样反馈回路中设计了一种双电源电压工作的反相器,通过消除开关管两端电压差抑制了非理想开关漏电对采样失调电压的影响。分析了输入端采样电容和失调电压的关系,优化设计后仿真实现了16.5μV的低失调电压。

英文摘要:

Extended-wavelength InGaAs detector with 2.5μm cut-off wavelength plays an important role in space remote sensing and so on.As a result of the lattice mismatch,the dark current of extended-wavelength InGaAs is 2~3 orders of magnitude higher than 1.7μmwavelength InGaAs at the same temperature.In this paper,a new-type low input-offset-voltage autozero input stage circuit was developed in the coupling interface of FPA,which aims to reduce the bias voltage and dark current of extended-wavelength InGaAs detectors.A new inverter working in two kinds of supply voltages wass designed in CTIA sampling feedback loop to restrain the influence of switch leakage on the sampled offset voltage.The relationship between sampling capacitance and offset voltage was analyzed.According to the results of simulation,the offset voltage is reduced to 16.5μV after optimization.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924