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　高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证
  • 项目名称：　高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证
  • 批准号：2012CB619200
  • 项目来源：国家重点基础研究发展计划2011年项目
  • 研究期限：2011-08-
  • 项目负责人：龚海梅
  • 依托单位：中国科学院上海技术物理研究所
  • 批准年度：2011
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 22
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期刊论文
MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线
不同退火处理的台面型In_（0.83）Ga_（0.17）As pin光电二极管暗电流分析
Structure optimization of high indium content InGaAs/InP heterostructure for the growth of In（0.82）Ga（0.18）As buffer layer
短波红外In0.53Ga0.47As探测器的实时γ辐照研究
高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展
延伸波长InGaAs焦平面用低失调电压输入级电路研究
全息光刻和二次显影法制备柱形二维光子晶体
InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器
FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正
铂金丝超声键合正交试验及焊点质量评价
航天先进红外探测器组件技术及应用
制备大面积组分均匀的InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料
背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器
异质结InP/InGaAs探测器欧姆接触温度特性研究
FTIR测量的宽波数范围发射光谱强度校正
n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺
2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器
基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基光电探测器研究
基于纳米压印的超材料近红外吸收器的制备研究
含有超晶格电子势垒的In（0.83）Ga（0.17）As探测器暗电流仿真和验证（英文）
可见增强的32×32元平面型InGaAs/InP面阵探测器
不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究
龚海梅的项目
航天红外探测器的辐射机理研究