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蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.054[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60606002)
作者： 肖红领[1], 王晓亮[1], 杨翠柏[1], 胡国新[1], 冉军学[1], 王翠梅[1], 张小宾[1], 李建平[1], 李晋闽[1]
关键词： 氮化铟, MOCVD, 半峰宽, 迁移率
中文摘要：

采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.INN(0002)X射线双晶衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18;原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为18.618nm;Hall测量得到的InN薄膜的室温背景电子浓度为1.08×1019cm-3,相应的迁移率为696cm2/(V·s).

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754