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SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件
  • ISSN号：1003-353X
  • 期刊名称：《半导体技术》
  • 时间：0
  • 分类：TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所材料科学中心, [2]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室, [3]中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室, [4]南京电子器件研究所
  • 相关基金：国家自然科学基金(60576046,60606002);国家“973”重点基础研究项目(2006CB604905,613270805);中国科学院知识创新工程目(YYYJ-0701-02)
作者： 王晓亮[1,2,3], 陈堂胜[4], 唐健[1,2,3], 肖红领[1,2,3], 王翠梅[1,2,3], 李晋闽[1,2,3], 王占国[2], 侯洵[3]
关键词： 氮化镓, 高电子迁移率晶体管, 功率器件
中文摘要：

使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。50mmHEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此材料研制的单管2mm栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/mm,跨导为460mS/mm。利用内匹配技术对两个2mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8GHz,脉冲下输出功率为34.1W,功率增益为6.1dB,功率附加效率为37.3%。

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编：赵小玲
  • 地址：石家庄179信箱46分箱
  • 邮编：050051
  • 邮箱：informax@heinfo.net
  • 电话：0311-87091339
  • 国际标准刊号：ISSN：1003-353X
  • 国内统一刊号：ISSN：13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:6070