中文摘要：

测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列（silicon nanoporous pillar array（简称Si-NPA））的场致发射性能。测试结果显示，Si-NPA的开启电场为约1．48V／um；在5V／um的外加电场下，其发射电流密度为28．6uA／cm^2；在外加电场4．4V／um时，其电流浮动率为13％。Si—NPA发射性能增强的原因是由于其独特的表面形貌和结构所致。

英文摘要：

Field emission from silicon nanoporous pillar array （Si-NPA） is studied. The results show that the Si- NPA turn-on field is about 1.48V/um, the emission current density of 28.6uA/cm^2 is obtained to be 5V/um, and the current fluctuation ratio is 13% at 4.4V/um. The enhanced field emission from Si-NPA is attributed to unique surface morphology and structure of Si-NPA.