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神经MOS晶体管在A/D和D/A转换器中的应用
  • ISSN号:1004-373X
  • 期刊名称:《现代电子技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN710.2[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构:[1]湖南大学电气与信息工程学院,湖南长沙410082
  • 相关基金:国家自然科学基金(50677014);高校博士点(20060532016);湖南省自然科学基金(06JJ2024);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-04-0767)
中文摘要:

神经MOS晶体管是一种具有多输入栅加权信号控制和阈值可调控的高功能度的新型器件。以神经MOS晶体管的Pspice宏模型为模拟和验证的工具,讨论了基于这种器件的A/D和D/A转换器的设计思想和方法,证明了他能很大程度地减少晶体管教目,简化电路,对实现高密度集成的ULSI系统的设计和实现有重要意义。

英文摘要:

The neuron MOS transistor is a recently discovered device which is capable of executing a weighted sum calculation of muhiph input signals and threshold operation based on the result of summation. In this paper,A/D and D/A converters realized by using neuron MOS transistor is discussed. This approach is based on a new macro model of neuron MOS transistor, which is used as means of design and verification. It is verified that a dramatic reduction in the number of transistors as well as in the complexity of interconnections has been achieved by using neuron MOS transistor.

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期刊信息
  • 《现代电子技术》
  • 北大核心期刊(2014版)
  • 主管单位:陕西省信息产业厅
  • 主办单位:陕西电子杂志社 陕西省电子技术研究所
  • 主编:张郁(执行)
  • 地址:西安市金花北路176号陕西省电子技术研究所科研生产大楼六层
  • 邮编:710032
  • 邮箱:met@xddz.com.cn
  • 电话:029-93228979
  • 国际标准刊号:ISSN:1004-373X
  • 国内统一刊号:ISSN:61-1224/TN
  • 邮发代号:52-126
  • 获奖情况:
  • 中国科技核心期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 波兰哥白尼索引,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2014版)
  • 被引量:37245