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Resistive Switching Behavior of Hafnium Oxide Thin Film Grown by Magnetron Sputtering
  • ISSN号：1002-185X
  • 期刊名称：Rare Metal Materials and Engineering
  • 时间：2014.1
  • 页码：24-27
  • 相关项目：HfOx基薄膜微观结构缺陷及其电致电阻转变机制研究
作者： Li Yanyan|Liu Zhangtang|Tan Tingting|
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期刊信息
  • 《稀有金属材料与工程》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国有色金属学会 中国材料研究学会 西北有色金属研究院
  • 主编：张平祥
  • 地址：西安市51号信箱
  • 邮编：710016
  • 邮箱：RMME@c-nin.com
  • 电话：029-86231117
  • 国际标准刊号：ISSN：1002-185X
  • 国内统一刊号：ISSN：61-1154/TG
  • 邮发代号:52-172
  • 获奖情况:
  • 首届国家期刊奖,中国优秀期刊一等奖,中国有色金属工业优秀期刊1等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:24715