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Effects of film thickness and Ar/O2 ratio on resistive switching characteristics of HfOx-based resis
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：2015
  • 页码：016801-1-4
  • 相关项目：HfOx基薄膜微观结构缺陷及其电致电阻转变机制研究
作者： Guo T.-T.|Tan T.-T.|Liu Z.-T.|
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期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
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  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
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  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
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