HfOx基薄膜微观结构缺陷及其电致电阻转变机制研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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HfOx基薄膜微观结构缺陷及其电致电阻转变机制研究

项目名称：HfOx基薄膜微观结构缺陷及其电致电阻转变机制研究
项目类别：青年科学基金项目
批准号：51202196
申请代码：E020701
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2013-01-01-2015-12-31

项目负责人：谭婷婷
依托单位：西北工业大学
批准年度：2012

中文摘要：

HfOx基阻变存储器因其工艺兼容性，被认为是下一代存储技术的关键器件。研究表明，氧空位和元素掺杂是影响HfOx薄膜电阻转变特性的关键因素，但其机理尚不清楚,制约了RRAM存储器的实用化。本项目将系统研究氧空位和元素掺杂与HfOx薄膜电阻转变特性的内在定量关系，主要包括（1）研究不同化学计量比HfOx薄膜中氧空位的浓度、结构和引入的缺陷能级，重点分析氧空位对薄膜载流子输运特性的影响规律；（2）对HfOx薄膜进行不同元素掺杂，分析杂质元素在薄膜中的分布特性和引入的缺陷能级，研究掺杂元素与氧空位的耦合作用关系，和对薄膜载流子输运特性的影响规律等；（3）系统研究温度、光照等外界条件对不同氧空位浓度和不同元素掺杂HfOx薄膜阻变特性的影响规律，揭示薄膜载流子输运特性和阻变特性的内在关联，最终建立氧空位和元素掺杂影响HfOx薄膜电阻转变特性的微观物理模型，为提高HfOx薄膜的存储特性提供理论指导。

中文主题词：掺杂HfO2薄膜；氧空位；载流子输运特性；电阻转变机理；

结论摘要：

英文主题词Doped HfO2 film；oxygen vacancy；carrier transportation characteristic；resistive switching mechanism；

成果综合统计