本文对采用截面显微检测法检测SiC晶片亚表面损伤时样品的制备、腐蚀液配方及腐蚀环境进行了系统地研究,并重点分析了固结磨料研磨SiC晶片(0001)Si面和(0001)C面亚表面损伤的深度及微裂纹构型。结果表明,采用腐蚀液配方为KOH∶K2CO3=20 g∶1 g,在420℃下腐蚀3 min时亚表面损伤观测效果较好。在研磨压力为2 psi、金刚石磨粒粒径14μm时,固结磨料研磨SiC晶片的亚表面损伤层深度约为2.6μm,亚表面微裂纹构型有垂线状、斜线状、钩状、叉状、树枝状、人字状以及横线状。在相同的加工条件下,SiC晶片的(0001)Si面和(0001)C面的损伤深度基本相同。