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栅增强功率ACCUFET的模拟研究
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]哈尔滨工程大学,哈尔滨150001
  • 相关基金:基金项目:国家自然科学基金(60906048);黑龙江省自然科学基金(QC2009C66)
中文摘要:

为了进一步降低器件的导通电阻,提出了一种新型的ACCUFET结构——栅增强功率ACCUFET(GE—ACOUFET)。这种器件同时具有普通ACCUFET和GE—UMOS的优点,而且导通电阻比这两种器件都要低。设计了一个击穿电压约106V,导通电阻为2.18×10^-4Ω·cm2的栅增强型功率ACCUFET器件(GE.ACCUFET)。将这种新型器件与GE—UMOS、普通ACCUFET进行对比,并进一步研究器件的结构参数对器件性能的影响。通过ATLAS仿真软件的建模仿真得到的数据显示,新型器件的导通电阻与GE—UMOS、普通ACCUFET相比,均有大幅度的降低。仿真还得到了器件导通电阻和击穿电压与结构参数H,D,α的函数关系,这对器件的生产制造有一定的指导作用。

英文摘要:

To decrease the specific on-resistance of the device, the gate enhanced power ACCUFET (GE-ACCUFET) was proposed. This device has advantages of both conventional ACCUFET and GE-UMOS, and the on-resistance is lower than that of either of them. A GE-ACCUFET device was designed. Its VSD is about 106 V, and RoN is 2. 18 ×10^-4Ω·cm2. The performance of GE-ACCUFET was compared to that of the that of GE-UMOS and ACCUFET, and the parameters of GE-ACCUFET were also studied. The simulation result shows that the on-resistance of the GE-ACCUFET is highly decreased compared to that of the conventional ACCUFET and GE-UMOS. The breakdown voltage (BV) and on-resistance versus the parameters such as H, D and angle α relationship for GE-ACCUFET were achieved, which gives some guidance to manufacture.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070