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基于高介电常数基板和金属结构负折射材料的设计,仿真与验证
  • 期刊名称:物理学报
  • 时间:0
  • 页码:304-311
  • 语言:中文
  • 分类:TN41[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]空军工程大学理学院数理系,西安710051, [2]西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安710049, [3]空军工程大学综合电子信息系统研究中心,西安710051
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:50632030 10804130 60871027)资助的课题
  • 相关项目:基于电谐振器和磁谐振器的陶瓷基左手材料的研究
中文摘要:

通过将单回路镜像对称开口金属环结构印制在高介电常数基板上,实现了一种金属含量比传统负折射材料更少,"双负"通带比全介质负折射材料更宽的负折射材料.分析了高介电常数基板产生负介电常数以及"双负"通带形成的机理,通过仿真实验分析了影响"双负"通带的因素.通过制作样品验证了这一机理实现"双负"的可行性,理论分析与实验结果都表明这种方法可实现较宽频段内的"双负"通带.

英文摘要:

By printing single-loop mirror-symmetrical split-ring resonators on high-permittivity substrates,a type of negative index material was realized with less usage of metals and broader negative-index bandwidth than conventional negative index materials.The underlying mechanisms of realizing negative permittivity by means of high-permittivity substrates and of double-negative pass-band were analyzed.The influening factors on the double-negative pass-band were analyzed both numerically and experimentally.By experiments,the proposed method of realizing double-negative property was verified.Both the theoretical and experimental results show that broad double-negative pass-band can be realized using the proposed method.

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