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Influence of patterned TiO2/SiO2 dielectric multilayers for back and front mirror facets on GaN-based laser diodes
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O432.12[机械工程—光学工程;理学—光学;理学—物理] TN248.4[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]State Key Laboratory for Mesoscoplc Physics and Department of Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China, [2]Institute of Modern Optics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China
  • 相关基金：Project supported by the National High Technology Program of China （Grant No 2007AA03Z403）, the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos 60776042 and 60477011）, and National Basic Research Program of China （Grand No 2006CB921607）.
作者： 陈伟华[1], 胡晓东[1], 代涛[1], 李睿[1], 叶学敏[2], 赵太平[2], 杜为民[2], 杨志坚[1], 张国义[1]
关键词： 介质多引线, 受激发射, 阈值电流, MOCVD, dielectric multilayers, GaN-based LD, stimulated emission, threshold current
中文摘要：

E-mail： huxd@pku.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406