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c轴取向SiC衬底MgB_2超导厚膜的制备及性质
  • ISSN号：1000-3258
  • 期刊名称：《低温物理学报》
  • 时间：0
  • 分类：O484.42[理学—固体物理;理学—物理] TQ174.758[化学工程—陶瓷工业;化学工程—硅酸盐工业]
  • 作者机构：[1]北京大学物理学院,北京100871
  • 相关基金：国家自然科学基金（批准号：No.50572001）和国家”十一五”973计划（批准号：2006CB601004）及教育部优秀本科生基础科研基金（批准号：]0630311）资助的课题.
作者： 孟胜[1], 张从尧[1], 冯庆荣[1]
关键词： 混合物理化学气相沉积法, MgB2超导厚膜, R~T曲线, M~T曲线, M~H曲线, SEM图, HPCVD, MgB2, Superconducting thick film, R～T curve, M～T curve, M～H curve, SEM image
中文摘要：

通过混合物理化学气相沉积法（Hybrid Physical-chemical Vapor Deposition,简称HPCVD）,我们在SiC衬底上制备出了c取向8μm厚的MgB2超导厚膜.电性质测量表明其起始超导转变温度是41.4K,转变宽度为0.5K,剩余电阻比率RRR～7.磁性质测量表明5K和零场下样品的临界电流密度达到了1.7×10^6A/cm2.

英文摘要：

We have fabricated MgB2 thick films on SiC substrate grew along c axis by using hybrid physical-chemical vapor deposition （HPCVD） technique. The thickness was 8μm. Electric measurement showed that the Tc （onset） was 41.4K,and the transition width was 0.5K,the residual resistance ratio （RRR） was near 7. Magnetic measurement showed that the critical current density was 1.7×106A/cm2 at 5K in a self field.

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期刊信息
  • 《低温物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学技术大学
  • 主编：赵忠贤
  • 地址：安徽省合肥市金寨路96号
  • 邮编：230026
  • 邮箱：LiBiyou@ustc.edu.cn
  • 电话：0551-3601359
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3258
  • 国内统一刊号：ISSN：34-1053/O4
  • 邮发代号:26-136
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:1577