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物理化学气相沉积法生长MgB2厚膜的研究
  • 项目名称:物理化学气相沉积法生长MgB2厚膜的研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:50572001
  • 申请代码:E021101
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2006-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人:冯庆荣
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:北京大学
  • 批准年度:2005
中文摘要:

在我们首先于国际上用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备出不锈钢衬底MgB2超导薄膜的基础上,通过进一步研究清楚厚膜的热力学和反应扩散过程,生长不同厚度膜的超导电性和微结构的关系,衬底和隔离层的关系,膜中掺杂的问题等,为用此方法生长MgB2 长线(带)打下坚实的基础。以期在今后的三到四年期间为制造2T的可替代现在医用核磁共振成像仪中所用的低温Nb3Sn带和NbTi线做的超导磁体的MgB2超导磁


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
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  • 著作
  • 31
  • 1
  • 0
  • 0
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