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晶体管工作状态对SiGe带通滤波器的影响研究
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]天津理工大学电子信息工程学院,天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津300384, [2]天津晶研科技有限公司,天津300384
  • 相关基金:国家自然基金(50972105); 863目标导向类基金(2009AA03Z444); 天津市自然科学基金(09JCZDJC16500); 天津市科技支撑计划重点项目(08ZCKFGX00300)
中文摘要:

采用SiGe异质结双极晶体管,设计了一种具有回转结构的带通跨导-电容滤波器。使用ADS软件进行电路图的仿真分析。研究镜像电流源的集电极电阻R对该滤波器中心频率、输出增益及功耗的影响。分析结果表明,镜像电流源集电极电阻R的调节可以控制镜像电流源的晶体管工作状态和回转电路的偏置电流。因此,要获得更高的中心频率,镜像电流源中直接给跨导单元提供电流的晶体管不用按常规工作在放大区而可以工作在饱和区。对滤波器输出增益和功耗的进一步分析结果表明,以上晶体管工作在饱和区不仅可以提高滤波器的工作频率,还可以提高滤波器的输出增益,但是也会同时增加滤波器的功耗。

英文摘要:

The high frequency bandpass filter with gyrator structure based on SiGe HBT was designed.The circuit was simulated by ADS software.The influence of mirror current source resistance of collector on center frequency,output gain and power consumption was analyzed.The results show that the working condition of mirror current source transistor and the bias current of gyrator circuit can be controlled by the collector resistor R.Therefore,to obtain higher frequency,it is better for transistors which provide bias current for gyrator to work in saturation state.With further analysis of output gain and power consumption,it is shown that the output gain will increase when transistors work in saturation state,while the power consumption will increaseas well.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070