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CdGeAs2晶体红外双折射率和吸收系数的第一原理计算
  • 期刊名称:四川大学学报(自然科学版), 2011, 48 (3):660-664.
  • 时间:0
  • 分类:O734.1[理学—晶体学] O469[理学—凝聚态物理;理学—电子物理学;理学—物理]
  • 作者机构:[1]四川大学材料科学系,成都610064
  • 相关基金:国家自然科学基金重点项目(50732005);国家863计划课题(2007AA03Z443)
  • 相关项目:中远红外高功率激光频率转换黄铜矿晶体的关键生长技术及机理研究
中文摘要:

基于第一原理赝势平面波方法,采用密度泛函理论的局域密度近似(LDA)方法计算了CdGeAs2晶体的介电函数,并由此得到红外波段的折射率ne、no,双折射率An和静态介电常数ε(0),将计算值同实验值作比较,结果一致.还计算了CdGeAs2晶体的红外吸收系数,与实验测得的红外透过率谱进行了比较,计算值与实验值吻合较好.结果对CdGeAs2晶体质量的改进和应用具有实用价值.

英文摘要:

Using local density approximation (LDA) within the first-principles of plane wave pseudo-potential method based upon the density function theory (DFT), the dielectric function of CdGeAs2 crystal was calculated. The infrared refractive index he, no, birefringence An and static dielectric constant e(0) were obtained. The calculated results were in agreement with the experimental values. The IR-absorption of CdGeAs2 crystal was also calculated. The calculated values and the experimental IR-transmittance were compared and matched well. The results have practical values in CdGeAs2 crystal's quality improvement and application.

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