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中文摘要：
对以微晶硅薄膜为发射极的硅异质结HIT型太阳电池进行优化设计和模拟计算。通过优化设计与模拟计算，得到μc-Si(p)/μc-Si(i)/c-Si(n)太阳电池的最大光电转换效率为24.68%。利用溶胶-凝胶法制备的大面积ITO透明导电薄膜，可见光透过率达8 3 % , 方块电阻为386Ω/□。利用真空热蒸发法制备的小面积ITO薄膜，可见光透光率为85%，方块电阻为260Ω/□。利用NaOH和Na2CO3碱性溶液对n型CZ-Si片进行表面织构，NaOH溶液刻蚀的CZ-Si片表面最低平均反射率为10.2%，Na2CO3溶液刻蚀的CZ-Si片表面最低平均反射率为9.5%，同时在Na2CO3腐蚀溶液中添加异丙醇可加快织构进程。利用射频等离子体增强化学气相沉积技术，制备单结μc-si(p)/c-si(n)异质结太阳电池，其转换效率为13.32%（面积1cm2）。在n型CZ-Si片和p型微晶硅薄膜之间插入本征微晶硅薄膜，制备单结μc-Si(p)/μc-Si(i)/c-Si(n)异质结HIT型太阳电池，其转换效率为13.62%（1cm2）。同时对微晶硅薄膜及其太阳电池的生长机制进行了研究。
结论摘要：
英文主题词Solar cell; Microcrystalline silicon thin film; Heterojunction; Simulation and calculation; Growth mechanism
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