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中文摘要：
本项目对新型铁电材料（钕掺杂钛酸铋Bi4-xNdxTi3O12（BNdT）、铁酸铋（BFO）等）和隔离层介质薄膜（ZrO2、TiO2、HfO2等）进行研究，获得了性能良好的MFIS材料及器件结构，并对铁电薄膜与隔离层以及硅之间的界面进行研究。同时，基于铁电DRAM（FEDRAM）的研究思想，将BNdT和HfO2分别用作FEDRAM的栅介质和隔离层。通过优化BNT铁电薄膜的制备条件，获得了适于FEDRAM的高性能铁电薄膜的制备工艺。对铁电薄膜与隔离层的微观结构和电学性能，以及微结构与性能的关系进行分析，获得了相关的微观机理。对BNdT铁电膜及隔离层的刻蚀技术进行研究，获得了与CMOS电路相兼容的集成工艺。在此基础上，对FEDRAM单元的器件结构进行设计和模拟，并已初步实现FEDRAM器件单元的制作。
结论摘要：
英文主题词FEDRAM;ferroelectric thin films;Bi4-xNdxTi3O12;buffer;MFIS
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