三维集成电路是微电子产业发展的主要趋势,具有巨大的潜在应用价值。硅通孔互连是实现三维集成的关键技术。传统金属或多晶硅填充的硅通孔互连线面临诸多挑战,而碳纳米管互连则具有优越的电学、热学和机械特性。本项目以基于碳纳米管的三维集成电路硅通孔互连线为研究对象,拟结合电磁学、电路及量子输运的基本理论,研究碳纳米管硅通孔互连线的寄生电学参数提取、等效电路和热特性建模以及信号完整性分析,重点解决碳纳米管硅通孔互连线的电-热耦合效应模拟、信号完整性仿真与设计优化等对三维集成电路发展起关键作用的问题,创建适用于计算机辅助设计的碳纳米管硅通孔互连模型知识库。本项目旨在用理论与数值模拟的手段研究并揭示三维集成电路中碳纳米管硅通孔互连线的温度分布和电信号传播规律,为实际制备碳纳米管硅通孔互连线提供理论指导,为开发三维集成电路计算机辅助设计工具奠定一定的理论和技术基础。
英文主题词Through-silicon vias;interconnects;three-dimensional integration;parasitic parameter extraction;equivalent circuit model