MgxZn1-xO薄膜材料制备及紫外探测性能研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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MgxZn1-xO薄膜材料制备及紫外探测性能研究

项目名称：MgxZn1-xO薄膜材料制备及紫外探测性能研究
项目类别：面上项目
批准号：50772016
申请代码：E0207
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2008-01-01-2010-12-31

项目负责人：张希艳
负责人职称：教授
依托单位：长春理工大学
批准年度：2007

中文摘要：

日盲区（200～300nm）紫外探测器在导弹尾焰探测、紫外告警、化学火焰探测以及医疗等领域具有广泛的应用前景。本项目开展磁控溅射法和溶胶-凝胶法制备MgxZn1-xO半导体薄膜材料和日盲区紫外探测器的研究，研究了MgxZn1-xO中Mg含量与薄膜禁带宽度的关系，理论分析并设计了日盲区响应的薄膜组分，分别采用单靶和双靶射频磁控溅射法制备了MgxZn1-xO薄膜；系统研究了薄膜制备工艺参数对薄膜的物相结构、表面形貌、晶粒尺寸、吸收光谱以及光电响应特性的影响规律，明确了薄膜载流子传输特性，确定了合理的制备工艺参数，分别在石英、硅和蓝宝石衬底上制备出紫外光电响应性能优良的薄膜，薄膜的吸收边达到日盲区，截止边位于295nm。采用湿化学刻蚀法制备了MSM结构紫外光电探测器件，展现出优良的光电响应特性，在10V偏压下，器件的暗电流为2.0×10-6A，紫外响应截止边位于295nm，对应的光谱响应度为5.85A/W，外量子效率为2460.6%，紫外/可见抑制比(R340/R500nm)达到4个数量级，研究结果为进一步开展MgxZn1-xO半导体日盲区紫外探测器的研究奠定了坚实的基础。

中文主题词： MgxZn1-xO薄膜；日盲区；MSM结构；紫外探测器

结论摘要：

英文主题词MgxZn1-xO film；Solar blind region；MSM structure；Ultraviolet detector

成果综合统计