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蓝宝石图形衬底上MOCVD定向控制生长半极性（11-22）GaN研究
  • 项目名称：蓝宝石图形衬底上MOCVD定向控制生长半极性（11-22）GaN研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：61204011
  • 申请代码：F040101
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人：邢艳辉
  • 依托单位：北京工业大学
  • 批准年度：2012
中文摘要：

本项目研究在r－面蓝宝石图形衬底上制备半极性（11-22）GaN材料MOCVD生长技术，具体的研究内容是在GaN材料半极性面的MOCVD定向控制生长技术和采用图形衬底降低位错密度。提出了一种新的两步解决问题的研究方法，即一是通过掌握生长条件与不同晶向生长速率的关系以解决孪晶问题，二是通过定向生长技术与图形衬底技术结合以解决目前半极性GaN材料生长中存在的孪晶及位错密度高的问题。制备的半极性（11-22）GaN材料方位角在平行和垂直于c-方向的X衍射曲线峰值半高宽分别不高于750arcsec，450arcsec，表面粗糙度不大于5nm。本课题的研究对解决目前GaN材料的极化问题，提高GaN基发光二极管性能，扩展GaN基材料的发射波长到橙黄光波段具有重要意义。

中文主题词： 氮化物；半极性GaN； MOCVD；XRD；
结论摘要：

英文主题词Nitride；semipolar GaN； MOCVD；XRD；

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 43
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
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