欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Formation of multiple conductive filaments in the Cu/ZrO2:Cu/Pt device
期刊名称:Applied Physics Letters
时间:0
页码:4-5
语言:英文
相关项目:复合多晶硅栅射频高增益MOSFET的研究
作者:
Dou, CM|Liu, Q|Wang, Y |Long, SB|Wang, W|Zhang, MH|Chen, JN|Liu, M|
同期刊论文项目
复合多晶硅栅射频高增益MOSFET的研究
期刊论文 15
会议论文 6
同项目期刊论文
A study of cycling induced degradation mechanisms in Si nanocrystal memory devices
Improved Resistive Switching Uniformity in Cu/HfO2/Pt Devices by Using Current Sweeping Mode
异质栅MOSFET热载流子效应的研究
双掺杂多晶Si栅MOSFET的截止频率研究
基于摄动法研究短沟道SOI MOSFET亚阈值特性
OISD MOSFET阈值电压建模与结构设计
Low-Power and Highly Uniform Switching in ZrO2-Based ReRAM With a Cu Nanocrystal Insertion Layer
Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based ReRAM by Using a Me
Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted
Approaches for improving the performance of filament-type resistive switching memory
倒掺杂沟道MOSFETs的研究
功率LDMOS中的场极板设计