位置：立项数据库 > 立项详情页
复合多晶硅栅射频高增益MOSFET的研究
  • 项目名称：复合多晶硅栅射频高增益MOSFET的研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60876062
  • 申请代码：F040502
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人：陈军宁
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：安徽大学
  • 批准年度：2008
中文摘要：

复合多晶硅栅射频高增益MOSFET采用栅工程的概念，通过对栅的设计， 得到 特性优良的新结构射频MOSFET。所设计的栅有S-gate和D-gate两块并列组成，S-gate用高功函数p多晶硅，D-gate用低功函数n多晶硅，由于靠源端的阈值电压稍高于 漏端的阈值电压，沟道中产生阶梯分布电势，电场沿沟道有一个峰值，载流子可以得到更大的漂移速度，其结果是提高了驱动电流、跨导和截止频率，同时又减小了漂移区末端的最大场强，降低了热电子效应，抑制了短沟道效应。本课题已经得到国家自然科学基金小额预研项目"复合多晶硅栅射频MOSFET"的资助，并已取得相应成果。本课题是该课题的延续性研究，创新之处在于用与CMOS兼容的工艺、同质材料实现了异质栅MOSFET才能具有的优良性能，提高了RF MOSFET高频性能。

中文主题词： 复合多晶硅栅；高增益；高截止频率；MOSFET
结论摘要：

英文主题词composite polysilicon gate；high-gain；high cut-off frequency； MOSFET

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 15
  • 6
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
A study of cycling induced degradation mechanisms in Si nanocrystal memory devices
Improved Resistive Switching Uniformity in Cu/HfO2/Pt Devices by Using Current Sweeping Mode
异质栅MOSFET热载流子效应的研究
双掺杂多晶Si栅MOSFET的截止频率研究
基于摄动法研究短沟道SOI MOSFET亚阈值特性
OISD MOSFET阈值电压建模与结构设计
Low-Power and Highly Uniform Switching in ZrO2-Based ReRAM With a Cu Nanocrystal Insertion Layer
Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based ReRAM by Using a Me
Formation of multiple conductive filaments in the Cu/ZrO2:Cu/Pt device
Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted
Approaches for improving the performance of filament-type resistive switching memory
倒掺杂沟道MOSFETs的研究
功率LDMOS中的场极板设计
会议论文
Multilevel storage characteristics in ZrO2-ReRAM brought about by ideal current limiter
The Process and Performance of Double Doping Polysilicon Gate MOSFET
Predictive PI Active Queue Management Based on Grey System
Design and analysis of VCO in PLL system
Capacitance Performance of Single Material Double Workfunction Gate(SMDWG) MOSFET
Temperature Characteristics of Threshold Voltage in Single Material Double Workfunction Gate(SMDWG)
相关项目
硅基3D纳米约束型器件的制造方法研究
期刊论文 2 会议论文 13
混合可再生能源并网发电中变结构多输入直流变换器的研究
期刊论文 5 会议论文 1
深亚微米MOS器件边界陷阱的RTS分析方法
期刊论文 26 著作 1
纳米CMOS器件的可靠性表征技术、失效机理及预测模型研究
期刊论文 74 会议论文 27
双栅锗基肖特基源漏MOSFET器件的研究
期刊论文 4 会议论文 4
高k介质MOS器件共振隧穿低频噪声模型及应用研究
期刊论文 17
复合多晶硅栅射频MOSFET的研究
期刊论文 10 会议论文 6
源漏具有复肖特基势垒的MOS场效应晶体管的研究
期刊论文 5 会议论文 5 专利 6
基于折叠半模基片集成波导的高增益定向天线技术研究
期刊论文 6 会议论文 3
陈军宁的项目
电路与系统前沿技术国际研讨会
复合多晶硅栅射频MOSFET的研究
期刊论文 10 会议论文 6
亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究
期刊论文 18 会议论文 1
异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型
期刊论文 17 会议论文 5