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化学气相浸渗/反应法制备MoSi2-SiC涂层的合成机理及其氧化性能
  • ISSN号:1003-6326
  • 期刊名称:《中国有色金属学报:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:TG1[金属学及工艺—金属学]
  • 作者机构:[1]西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072
  • 相关基金:Projects(51221001,51272213,51072166)supported by the National Natural Science Foundation of China; Project(GBKY1021)supported by the Fundamental Research Foundation of Northwestern Polytechnical University,China; Project(B08040)supported by Program of Introducing Talents of Discipline to Universities,China
中文摘要:

采用化学气相浸渗/反应法(CVI/CVR)在C/C复合材料表面制备MoSi2-SiC防氧化涂层。首先,制备多孔金属Mo层,然后以甲基三氯硅烷(MTS)为前驱体,利用CVI/CVR技术制备MoSi2-SiC复合涂层。采用XRD、SEM技术研究MoSi2-SiC复合涂层的制备机理,并考察涂层样品的抗氧化性能。结果表明,MTS分解的SiC填充了多孔金属Mo层中的孔隙,并与金属Mo发生反应,制备出致密的MoSi2-SiC复合涂层;在优化工艺条件下所得到的涂层样品在1500°C空气中氧化80h后质量损失仅为1.25%。

英文摘要:

In order to protect C/C composites from oxidation, SiC-MoSi2 composite coating was synthesized by chemical vapor infiltration /reaction (CVI/CVR) technology. A porous Mo layer was prefabricated on SiC coated C/C composites, and then MoSi2 and SiC were subsequently prepared in a CVI /CVR process using methyltrichlorosilane (MTS) as precursor. The deposition and reaction mechanism of the MoSi2-SiC composite coating was investigated by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). The oxidation behavior of SiC-MoSi2 coated specimens was tested. The results show that the porous Mo layer can be densified with SiC phase decomposed from MTS, and transformed into SiC-MoSi2 by reacting with MTS as well. A dense composite coating was prepared with optimized deposition parameters. The coated specimen exhibits a good oxidation resistance with a little mass loss of 1.25% after oxidation at 1500 °C for 80 h.

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期刊信息
  • 《中国有色金属学报:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国有色金属学会
  • 主编:黄伯云
  • 地址:中国长沙中南大学
  • 邮编:410083
  • 邮箱:f-xsxb@csu.edu.cn
  • 电话:0731-88830949
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-6326
  • 国内统一刊号:ISSN:43-1239/TG
  • 邮发代号:42-317
  • 获奖情况:
  • 国家“双百”期刊,第二届全国优秀科技期刊评比二等奖,中国有色金属工业总公司优秀科技期刊一等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊
  • 被引量:1159