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Negative capacitance switching via VO2 band gap engineering driven by electric field
  • ISSN号:0003-6951
  • 期刊名称:Applied Physics Letters
  • 时间:2015.3.2
  • 页码:-
  • 相关项目:Gd,Si/Ge掺杂GaN 材料的自旋极化和磁相互作用量子机理研究
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