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Al_2O_3/GaSb p-MOSFET器件电学性质模拟（英文）
  • ISSN号：1001-9014
  • 期刊名称：红外与毫米波学报
  • 时间：2015.10.15
  • 页码：528-532
  • 相关项目：Gd,Si/Ge掺杂GaN 材料的自旋极化和磁相互作用量子机理研究
作者： 甘凯仙|王林|邢怀中|
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Gd,Si/Ge掺杂GaN 材料的自旋极化和磁相互作用量子机理研究
期刊论文 27
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Al2O3/GaSb p-MOSFET器件电学性质模拟
期刊信息
  • 《红外与毫米波学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院上海技术物理研究所 中国光学学会
  • 主编：褚君浩
  • 地址：上海市玉田路500号
  • 邮编：200083
  • 邮箱：jimw@mail.sitp.ac.cn
  • 电话：021-25051553
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9014
  • 国内统一刊号：ISSN：31-1577/TN
  • 邮发代号:4-335
  • 获奖情况:
  • 1992、1996年获全国优秀学术期刊一等奖,1999年首届国家期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,瑞典开放获取期刊指南,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:8778