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高温CMOS集成电路闩锁效应分析
  • ISSN号：0372-2112
  • 期刊名称：电子学报
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者所属机构：安徽大学 电子科学与技术学院
  • 页码：1894-1896
  • 语言：中文
  • 分类：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构：[1]安徽大学电子工程系，安徽合肥230039, [2]合肥工业大学计算机系，安徽合肥230001
  • 相关基金：国家自然科学基金(No.60276042)
  • 相关项目：亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究
作者： 柯导明、陈军宁、周国祥、代月花、高珊、孟坚、赵海峰|
关键词： 高温, CMOS, 集成电路, 闩锁效应, 解析表达式
中文摘要：

本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应。文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型。在该模型中，针对器件的尺寸和在芯片上分布情况，我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式：大尺寸MOST的寄生双极晶体管是长基区，基区输运因子起主要作用；VLSI和ULSI中MOST的寄生双极晶体管是短基区，发射效率起主要作用。但是他们的维持电流都与温度是负指数幂关系。文章给出了这两种模式下的维持电流与温度关系，公式在25℃至300℃之间能与实验结果符合。

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期刊信息
  • 《电子学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国电子学会
  • 主编：郝跃
  • 地址：北京165信箱
  • 邮编：100036
  • 邮箱：new@ejournal.org.cn
  • 电话：010-68279116 68285082
  • 国际标准刊号：ISSN：0372-2112
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2087/TN
  • 邮发代号:2-891
  • 获奖情况:
  • 2000年获国家期刊奖,2000年获国家自然科学基金志项基金支持,中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:57611