亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究

项目名称：亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究
项目类别：面上项目
批准号：60276042
申请代码：F040502
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2003-01-01-2005-12-01

项目负责人：陈军宁
负责人职称：教授
依托单位：安徽大学
批准年度：2002

中文摘要：

本项目针对SPICE和BS IM的不足之处，建立用于电路模拟的超深亚微米MOSFET载流子速度过冲效应模型，量子化效应模型，亚阈区电容模型、SOI结构的浮置体效应和history效应模型、器件特性的温度效应模型、RF频率下输运电流的非静态模型和诱致栅热噪声模型，并将它们写入SPICE3F5程序中，最终建立体硅和SOI结构MOSFET的统一电荷、电流和电容模型。

中文主题词：超深亚微米MOSFET；量子化效应；迁移率模型；寄生二极管和三极管的模型；体硅和SOI MOSFET统一的宏模型

结论摘要：

英文主题词VDSM MOSFETs；quantum effects；mobility model the models of parasitic diodes and bipolar transistors；unitive micro model of body silicon and SOI MOSFETs

成果综合统计