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考虑量子化效应的MOSFETs栅电容减小模型
  • ISSN号：0253-2778
  • 期刊名称：中国科学技术大学学报
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者所属机构：安徽大学电子科学与技术学院
  • 页码：333-337
  • 语言：中文
  • 相关项目：亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究
作者： 代月花、陈军宁、柯导明、吴秀龙、徐超|
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期刊信息
  • 《中国科学技术大学学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学技术大学
  • 主编：何多慧
  • 地址：安徽省合肥市金寨路96号
  • 邮编：230026
  • 邮箱：JUST@USTC.EDU.CN
  • 电话：0551-63601961 63607694
  • 国际标准刊号：ISSN：0253-2778
  • 国内统一刊号：ISSN：34-1054/N
  • 邮发代号:26-31
  • 获奖情况:
  • 1999年，全国优秀高等学校自然科学学报及教育部优...,2001年，安徽省1999-2001年度优秀科技期刊一等奖,2002年，第三届华东地区优秀期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:8237