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MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者所属机构：安徽大学电子科学与技术学院
  • 页码：2164-2168
  • 语言：中文
  • 相关项目：亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究
作者： 代月花、陈军宁、柯导明、孙家讹、徐超|
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